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金靶材,金片,金丝,蒸发金颗粒,PVD磁控溅射金靶,PVD薄膜沉积材料

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苏州中之纳半导体科技有限公司

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金靶(高纯金溅射靶材)是半导体制造中高端电极、互连与封装的关键材料,凭借超高导电性、化学惰性、高纯度与良好附着性,在晶圆制造与先进封装中不可替代。
一、金靶的核心特性(适配半导体严苛要求)
  • 超高导电性:电阻率约 2.44 μΩ·cm,仅次于银,保障低损耗、高速信号传输。
  • 极致化学稳定性:常温下不氧化、不腐蚀,接触电阻长期稳定,提升器件可靠性。
  • 高纯度:主流 4N(99.99%),先进制程达 5N(99.999%),杂质极低,避免污染与漏电。
  • 良好附着与延展性:在硅、陶瓷、玻璃上形成致密均匀膜层,适配微纳结构与柔性工艺。
二、在半导体行业的主要应用场景
1. 晶圆制造(前道工艺)
  • 欧姆接触电极(Ohmic Contact)
    用于功率器件、射频芯片、MEMS等,在硅 / 化合物半导体表面形成低阻、稳定的电极,降低接触电阻、提升高频 / 高温稳定性。
  • 局部互连线与焊盘(Pad)
    高端芯片的顶层金属、焊盘区采用金膜,提供稳定电连接,适配引线键合(Wire Bonding),提升封装良率。
  • MEMS 器件
    微马达、传感器等的活动结构与电极,利用金的低摩擦、高延展性、化学惰性,保障微结构长期可靠运行。
2. 先进封装(后道工艺)
  • 凸点下金属层(UBM, Under Bump Metallurgy)
    倒装芯片(Flip Chip)、2.5D/3D 封装中,作为铜柱 / 锡球与芯片焊盘间的过渡层,提供粘附、阻挡扩散、稳定电接触。
  • ** redistribution layer(RDL)**
    扇出型封装(Fan-out)的重布线层,实现芯片 I/O 重新布局,金膜保障高密度布线的低阻与可靠性。
  • 引线键合(Wire Bonding)
    虽以金丝为主,但金膜焊盘是键合基础,确保金丝与芯片的高强度、低阻连接。
3. 光电子与特殊器件
  • 光电探测器、激光器、红外器件:金膜作电极、反射层,提升光电转换效率与红外反射率。
  • 高频 / 微波器件:金的低损耗特性用于毫米波、5G/6G 射频芯片的传输线与天线结构。
三、金靶 vs 其他金属靶(半导体应用对比)
表格
靶材主要应用优势局限性
金靶(Au)高端电极、UBM、MEMS、射频稳定、低阻、不氧化、键合友好成本高
铜靶(Cu)主流后端互连(BEOL)低阻、成本适中需阻挡层、易氧化、电迁移
铝靶(Al)成熟制程互连工艺成熟、成本低电阻率较高、易腐蚀
钛 / 钽靶粘附层、阻挡层附着力强、阻挡扩散导电性一般
四、工艺要点
  • 金靶主要通过磁控溅射(PVD)沉积金膜,要求高真空、高纯度靶材、精密控温,以获得均匀、低缺陷薄膜36氪
  • 常与钛(Ti)、铂(Pt)、钯(Pd)等形成复合膜层(如 Ti/Au、Pt/Au),兼顾粘附、阻挡与导电。
五、总结
金靶是半导体高端、高可靠、高频、特殊封装场景的不可替代材料,广泛用于射频、功率、MEMS、先进封装等领域,是保障器件长期稳定与高性能的关键基础材料。

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