HMDS烘箱,HMDS涂胶烤箱,HMDS预处理真空干燥箱
HMDS预处理真空烘箱
一、HMDS 预处理系统的必要性:
在半导体生产工艺中,光刻是集成电路图形转移重要的一个工艺环节,涂胶质量直接影响到光刻的质量,涂胶工艺显得更为重要。光刻涂胶工艺中绝大多数光刻胶是疏水的,而硅片表面的羟基和残留的水分子是亲水的,这造成光刻胶和硅片的黏合性较差,尤其是正胶,显影时显影液会侵入光刻胶和硅片的连接处,容易造成漂条、浮胶等,导致光刻图形转移的失败,同时湿法腐蚀容易发生侧向腐蚀。增黏剂HMDS(六甲基二硅氮烷)可以很好地改善这种状况。将HMDS涂到硅片表面后,经烘箱加温可反应生成以硅氧烷为主体的化合物。它成功地将硅片表面由亲水变为疏水,其疏水基可很好地与光刻胶结合,起着偶联剂的作用。
二、产品特点:
1)外壳采用SUS304不锈钢材质,内胆316L不锈钢材料;无缝不锈钢加热管,均匀分布在内胆外壁,内胆内无任何电气配件及易燃易爆装置;采用钢化、防弹双层玻璃观察窗,便于观察工作室内物品实验情况。无发尘材料,适用百级光刻间净化环境使用。
2)箱门闭合松紧能调节,整体成型的硅橡胶门封圈,确保箱内保持高真空度。
3) 温度采用微电脑PID控制,系统具有自动控温,定时,超温报警等,LED显示,稳定可靠。
4)智能化触摸屏控制系统配套日本三菱PLC模块可供用户根据不同制程条件改变程序、温度、真空度及每一程序时间。
5)HMDS气体密闭式自动吸取添加设计,使真空箱密封性能极好,确保HMDS气体无外漏顾虑。
三、技术参数
规格型号 | PVD-6090-HMDS | PVD-6210-HMDS |
容积(L) | 90L | 210L |
控温范围 | RT+10~250℃ |
温度分辨率 | 0.1℃ |
控温精度 | ±0.5℃ |
加热方式 | 内腔体外侧加温 |
载物托架 | 2PCS | 3PCS |
真空度 | <133Pa(真空度范围100~100000pa) |
真空泵 | 抽气速度4升/秒,型号DM4 |
电源/功率 | AC220/50Hz,3KW | AC380V/50Hz,4KW |
内胆尺寸(W*D*H)mm | 450×450×450 | 560×640×600 |
外形尺寸(老款)mm | 800×630×850 | 920×830×1050
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外形尺寸(新款)mm | 980×655×1600 | 1220×930×1755 |
连接管:316L不锈钢波纹管(KF25)和卡箍,将真空泵与真空箱完全密封无缝连接。
备注:外壳冷轧钢板静电粉末喷涂,内胆316L不锈钢,外箱尺寸为(W*D*H)mm:980x655x1600(含下箱柜高700),下箱柜空置。
四、HMDS预处理系统的原理:
HMDS预处理系统通过对烘箱HMDS预处理过程的工作温度、处理时间、处理时保持时间等参数可以在硅片、基片表面均匀涂布一层HMDS,降低了HMDS处理后的硅片接触角,降低了光刻胶的用量,提高光刻胶与硅片的黏附性。
五、HMDS预处理系统的一般工作流程:
首先确定烘箱工作温度。典型的预处理程序为:打开真空泵抽真空,待腔内真空度达到某一高真空度后,开始充入氮气,充到某低真空度后,再次进行抽真空、充入氮气的过程,到达设定的充入氮气次数后,开始保持一段时间,使硅片充分受热,减少硅片表面的水分。然后再次开始抽真空,充入HMDS气体,在到达设定时间后,停止充入HMDS药液,进入保持阶段,使硅片充分与HMDS反应。当达到设定的保持时间后,再次开始抽真空。充入氮气,完成整个作业过程。HMDS与硅片反应机理如图:首先加热到100℃-200℃,去除硅片表面的水分,然后HMDS与表面的OH一反应,在硅片表面生成硅醚,消除氢键作,从而使极性表面变成非极性表面。整个反应持续到空间位阻(三甲基硅烷基较大)阻止其进一步反应。
六、尾气排放:多余的HMDS蒸汽(尾气)将由真空泵抽出,排放到专用废气收集管道。在无专用废气收集管道时需做专门处理。



