「视频」AP200N12F永源微 120V n沟道增强模式MOSFET产品视频-马可视频

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AP200N12F永源微 120V n沟道增强模式MOSFET

中山市晶派电子厂

联系人：林先生

邮箱： 2892715427@qq.com 2892715427@qq.com

描述
AP200N12F采用先进的APM-SGTⅠ技术
提供优良的rds (ON)，低栅极电荷和
栅极电压低至10V。这
该装置适合作为电池保护装置使用
或其它开关应用。
一般特征
V ds = 120v I d = 200a

R DS(ON) < 4.2mΩ @ V GS =10V（类型：3.7mΩ）

BMS
UPS
Power Mana
gement Switches

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